Избранные патенты ИнБЮМ впервые включены в ведущие международные патентные базы

«Интеллект машин и механизмов»: в Севастополе прошел крупнейший Международный промышленный форум

Эксперты двух международных патентных баз, относящихся к Всемирной организации по интеллектуальной собственности и Европейскому патентному ведомству, впервые включили в свои базы PATENTSCOPE и Европейского патентного ведомства изобретения ФИЦ ИнБЮМ, получившие патенты РФ.

Обе базы платные, и для того, чтобы там только рассмотреть заявку, необходимо внести солидную пошлину. Однако эксперты сами проявили интерес к изобретениям ИнБЮМ и выбрали из национальной базы «Роспатента» семь патентов для размещения в международных базах. Обе базы являются всемирным источником справочной информации и аналитических данных в области изобретательской деятельности.
«Наши изобретения по биотехнологиям сделаны в двух направлениях. Первое—разработка способов получения функциональных продуктов из мидий и выделения из них биологически активных веществ, обогащенных полиненасыщенными жирными кислотами и каротиноидами и обладающих противоопухолевой активностью. Вторая группа патентов относится к разработке способов обогащения растительного масла фукоксантином—пигментом из бурых и диатомовых водорослей, обладающих высокой фармакологической активностью.
Авторы изобретений: доктор биол. наук В.И. Рябушко, кандидаты хим. наук М.В. Нехорошев и С.В. Капранов, кандидаты биол. наук Р.Г. Геворгиз и Е.В. Гуреева, кандидат мед. наук Е.А. Бочарова, младшие научные сотрудники С.Н. Железнова и Л.Л. Капранова. Особенно хочется отметить незаменимую роль ведущего инженера Ю.В. Баландиной в подготовке патентов»,—комментирует доктор биологических наук Виталий Рябушко.
Надеемся, что публикация результатов на таком высоком уровне будет способствовать распространению информации среди специалистов и сможет привлечь инвесторов для ускорения коммерциализации результатов научно-технической деятельности при выполнении тем государственных заданий.

Пресс-служба ФИЦ ИнБЮМ им. А.О. Ковалевского РАН.

Другие статьи этого номера